HY 现代内存的详细资料 现代内存, 详细资料

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HY 现代内存芯片编号资料
GM 72 X X X XX X X X X X X  X
　   1 2 3 4  5 6 7 8 9 10 11 　　现代SDRAM的内存芯片上的编号如上所示，
其各位编号的意义如下： 　　
1：PREFIX OF LGS（LGS产品的前缀） 　　MEMORY IC的前缀 　　
2：FAMILY（内存种类） 　　72:SDRAM 　　
3：PROCESS＆POWER SUPPLY(工艺和电压) 　　V:CMOS(3.3V)
4：DENSITY＆REFRESH（内存密度和刷新） 　　
   16:16M,4K Ref
　17:16M,2K Ref
　28:128M,4K Ref
　55:256M,16K Ref
　56:256M,8K Ref
　57:256M,4K Ref
　64:64M,16K Ref
　65:64M,8K Ref
　66:64M,4K Ref
5：DATA WIDTH（数据带宽） 　　
   4:×4 　　8:×8 　　16:×16  32:×32
6：BANK（芯片组成） 　　
   1:1 BANK 　　2:2 BANK 　　4:4 BANK 　　8:8 BANK 　　
7：I/O INTERFACE（I/O界面） 　　1VTTL 　　
8：REVISION NO.（修正版本） 　　
   BLANK:ORIGINAL 　　A:FIRST 　　B:SECOND 　　
   C:THIRD 　　D:FOURTH 　　E:FIFTH 　　F:SIXTH 　　
9：POWER（功率） 　　Blank:STANDARD 　　LOW－POWER 　　
10：PACKAGE（IC封装） 　　
   T:TSOP(NORMAL) 　　R:TSOP(REVERSE) 　　
   I:BLP 　　K:TSOL 　　S:STACK 　　
11：SPEED（速度） 　　
   6:150MHz 　　7:143MHz 　　74:135MHz 　　
  75:133MHz 　　8:125MHz 　　7KPC100,2－2－2)＊
　7JPC100,3－2－2)＊＊ 　　10KPC66)＊＊＊ 　　
10J:(PC66)＊＊＊＊ 　　     12:83MHz 　　15:66MHz 　　Note（注释）:
  　＊7K means to meet tCK=10ns,C.L=2,tAC=6ns。 　　
    ＊＊7J means to meet tCK=10ns,C.L=3,tAC=6ns。
　　＊＊＊10K means to meet tCK=15ns,C.L=2,tAC=9ns。
　　＊＊＊＊10J means to meet tCK=15ns,C.L=3,tAC=9.5ns。 　　
●二、识别LGS SDRAM内存芯片一例 　　
LGS SDRAM内存芯片上的编号如图2所示，现分别解释如下。 　　第一行：LGS代表南韩LG公司 　　第二行：GM是LGS的memory IC产品的前缀；
72 代表SDRAM产品；V代表芯片的加工工艺是3.3V的CMOS；
66 代表芯片的密度是64Mbit和4K刷新；
8  代表×8的结构；
4  代表4bank的芯片组成；
1  代表LTVVL的I/O界面；
C  代表是第三代的芯片设计；
空白代表标准的芯片功耗；
T  代表普通的TSOP的IC封装；
7J 代表在100MHz外频下可运行在10ns，CL值是3。 　　第三行：
9839代表芯片的生产封装日期是1998年第39个星期；
KOREA代表是南韩出品，以便同非南韩的LG工厂生产的芯片相区别。 注意：
-10K不是PC 100的产品！
-7K和-7J 不是PC 133的产品！
-8的性能比-7K和-7J都要好，且-7K比-7J的性能要好一点儿，
要是-7J的条子后有AG2/3/4/6的字样，那么AG2的最好，AG6的最差！通式：GM72V ab cd e 1 f g T hi。
ab：容量（Mbit）
cd：数据位宽（位）
e：内存条包括的Bank数
f：内核的版本号（越往后越新，可为空白）
g：若是“L”就是低功耗，普通型则为空白
hi：速度